The Effect of Exchange-Correlation Holes on the Temperature Dependent Dynamic Dielectric Function of Single-Layer Quantum Wells and Coupled Nanolayers

در اين مقاله اثر حفره همبستگي- تبادلي در اطراف الكترون در ساختار دو بعدي GaAlAs/GaAs/GaAlAs بر روي تابع دي الكتريك سيستم در تقريب STLS و هابارد بصورت نظري بررسي شده است. علاوه بر اين سيستم نانو لايه هاي جفت شده كه سيستمي جالبتر مي باشند نيز مورد بررسي قرار گرفته است. به منظور فراهم كردن مقايسه اي مناسب، نتايج محاسبات عددي در تقريب فاز تصادفي نيز ارايه شده است. محاسبات عددي نشان مي دهد كه در نظر گرفتن اين اثر تغيير قابل توجه اي در مقدار تابع دي الكتريك ايجاد مي نمايد.

In this paper, for the first time we have studied theoretically the effect of exchange-correlation holes around electrons in GaAlAs/GaAs/GaAlAs nanostructure on the temperaturedependent dynamic dielectric function of two-dimensional electron gas by employing random phase, STLS and Hubbard approximations. Also, we have investigated another interesting system which is coupled quantum wells structure. To make a good comparison and show the effect of local field, the numerical results have been compared with those obtained within RPA which considers long-range interactions and ignores exchange-correlation effects completely. We found that taking into account the exchange-correlation effects changes considerably the values of dynamic dielectric function at low electron densities at finite temperatures.