Title of article
Normal incidence silicon doped p-type GaAs/AlGaAs quantum-well infrared photodetector on (1 1 1)A substrate
Author/Authors
T. Mei، نويسنده , , H. Li، نويسنده , , G. Karunasiri، نويسنده , , W.J. Fan، نويسنده , , D.H. Zhang، نويسنده , , S.F. Yoon، نويسنده , , K.H. Yuan، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
5
From page
119
To page
123
Keywords
Infrared photodetector , Intersubband transition , Quantum well
Journal title
Infrared Physics & Technology
Serial Year
2007
Journal title
Infrared Physics & Technology
Record number
328114
Link To Document