Title of article
Temperature dependent characterization of bipolar silicon power semiconductors-a new physical model validated by device-internal probing between 400-100 K
Author/Authors
Schlogl، نويسنده , , A.E، نويسنده , , Mnatsakanov، نويسنده , , T.T، نويسنده , , Kuhn، نويسنده , , H، نويسنده , , Schroder، نويسنده , , D.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2000
Pages
8
From page
1267
To page
1274
Keywords
Bipolar power dev ices , carrier concentration , continuity equation , Infrared absorption , Mobility , optical validation , Temperature. , Physical modeling
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year
2000
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number
340199
Link To Document