Title of article
Photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4×4)–C surface
Author/Authors
R. Kosugi، نويسنده , , T. Abukawa، نويسنده , , M. Shimomura، نويسنده , , S. Sumitani، نويسنده , , H. -W. Yeom، نويسنده , , T. Hanano، نويسنده , , K. Tono، نويسنده , , S. Suzuki، نويسنده , , S. Sato، نويسنده , , T. Ohta، نويسنده , , S. Kono and Y. Takakuwa، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 1999
Pages
5
From page
239
To page
243
Keywords
C H , Carbonization , Si(001)c(434)–C surface , Initial stage 3C–SiC growth , Surface alloy , Synchrotron 2 4radiation , X-ray photoelectron diffraction
Journal title
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Serial Year
1999
Journal title
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Record number
379261
Link To Document