Title of article
Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO2/Si interfaces
Author/Authors
T. Hattori، نويسنده , , K. Azuma، نويسنده , , Y. Nakata، نويسنده , , H. Nohira، نويسنده , , Y. Ishihara and H. Okamoto، نويسنده , , E. Ikenaga، نويسنده , , K. Kobayashi، نويسنده , , Y. Takata and S. Shin، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages
4
From page
457
To page
460
Keywords
XPS , Electron escape depth , Oxidation process , Atomic oxygen
Journal title
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Serial Year
2005
Journal title
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Record number
380333
Link To Document