Title of article
A new punch-through IGBT having a new n-buffer layer
Author/Authors
Iwamoto، نويسنده , , H.، نويسنده , , Haruguchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Tomomatsu، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Donlon، نويسنده , , J.F.، نويسنده , , Motto، نويسنده , , E.R.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages
7
From page
168
To page
174
Keywords
insulated gate bipolar transistor , power semiconductor.
Journal title
IEEE Transactions on Industry Applications
Serial Year
2002
Journal title
IEEE Transactions on Industry Applications
Record number
381364
Link To Document