Title of article
Electrical characteristics of FinFET with vertically nonuniform source/drain doping profile
Author/Authors
Dong-Soo Woo، نويسنده , , Jong-Ho Lee، نويسنده , , Woo Young Choi، نويسنده , , Byung-Yong Choi، نويسنده , , Young-Jin Choi، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages
5
From page
233
To page
237
Keywords
Double-gate , finFET , nonuniform source/drain(S/D) , silicon-on-insulator (SOI).
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2002
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398314
Link To Document