Title of article
Fabrication and program/erase characteristics of 30-nm SONOS nonvolatile memory devices
Author/Authors
Suk-Kang Sung، نويسنده , , Il-Han Park، نويسنده , , Chang Ju Lee، نويسنده , , Yong Kyu Lee، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده , , Soo Doo Chae، نويسنده , , Chung Woo Kim، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
7
From page
258
To page
264
Keywords
silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) , 30-nm. , Band-to-band (BTB) , hole injection , F–N tunneling , channel hot electron (CHE)injection , nonvolatile memory
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398358
Link To Document