Title of article
Coulomb-blockade in nanometric Si-film silicon-on-nothing (SON) MOSFETs
Author/Authors
Monfray، نويسنده , , S.، نويسنده , , A.Souifi، نويسنده , , A.، نويسنده , , Boeuf، نويسنده , , F.، نويسنده , , A.B.; Ortolland، نويسنده , , C.، نويسنده , , Poncet، نويسنده , , A.، نويسنده , , G. Militaru، نويسنده , , L.، نويسنده , , Chanemougame، نويسنده , , D.، نويسنده , , SKOTNICKI، Stefan H. نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
6
From page
295
To page
300
Keywords
fully-depleted siliconon insulator (FDSOI) , low doped drain (LDO) , Coulomb-blockade , MOSFET , singleelectroneffects. , CMOS
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398364
Link To Document