Title of article
50-nm fully depleted SOI CMOS technology with HfO/sub 2/ gate dielectric and TiN gate
Author/Authors
J. Vandooren، نويسنده , , A.، نويسنده , , Egley، نويسنده , , S.، نويسنده , , Zavala، نويسنده , , M.، نويسنده , , Stephens، نويسنده , , T.، نويسنده , , Mathew، نويسنده , , L.، نويسنده , , Rossow، Edwin نويسنده , , M.، نويسنده , , Voon-Yew Aaron Thean، نويسنده , , A.، نويسنده , , Barr، نويسنده , , A.، نويسنده , , Shi، نويسنده , , Z.، نويسنده , , White، نويسنده , , T.، نويسنده , , Pham، نويسنده , , D.، نويسنده , , Conner، نويسنده , , J.، نويسنده , , Prabhu، نويسنده , , L.، نويسنده , , Triyoso، نويسنده , , D.، نويسنده , , Schaeffer، نويسنده , , J.، نويسنده , , Roan، نويسنده , , D.، نويسنده , , Bich-Yen Nguyen، نويسنده , , Orlowski، نويسنده , , M.، نويسنده , , John W. Mogab، نويسنده , , J.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
5
From page
324
To page
328
Keywords
metal gate , raised SD extension. , Fully depleted SOI , high-k dielectric
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398369
Link To Document