• Title of article

    50-nm fully depleted SOI CMOS technology with HfO/sub 2/ gate dielectric and TiN gate

  • Author/Authors

    J. Vandooren، نويسنده , , A.، نويسنده , , Egley، نويسنده , , S.، نويسنده , , Zavala، نويسنده , , M.، نويسنده , , Stephens، نويسنده , , T.، نويسنده , , Mathew، نويسنده , , L.، نويسنده , , Rossow، Edwin نويسنده , , M.، نويسنده , , Voon-Yew Aaron Thean، نويسنده , , A.، نويسنده , , Barr، نويسنده , , A.، نويسنده , , Shi، نويسنده , , Z.، نويسنده , , White، نويسنده , , T.، نويسنده , , Pham، نويسنده , , D.، نويسنده , , Conner، نويسنده , , J.، نويسنده , , Prabhu، نويسنده , , L.، نويسنده , , Triyoso، نويسنده , , D.، نويسنده , , Schaeffer، نويسنده , , J.، نويسنده , , Roan، نويسنده , , D.، نويسنده , , Bich-Yen Nguyen، نويسنده , , Orlowski، نويسنده , , M.، نويسنده , , John W. Mogab، نويسنده , , J.، نويسنده ,

  • Issue Information
    روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
  • Pages
    5
  • From page
    324
  • To page
    328
  • Keywords
    metal gate , raised SD extension. , Fully depleted SOI , high-k dielectric
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Serial Year
    2003
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Record number

    398369