• Title of article

    Toward long-term retention-time single-electron-memory devices based on nitrided nanocrystalline silicon dots

  • Author/Authors

    Shaoyun Huang، نويسنده , , Arai، نويسنده , , K.، نويسنده , , Usami، نويسنده , , K.، نويسنده , , Oda، نويسنده , , S.، نويسنده ,

  • Issue Information
    روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
  • Pages
    5
  • From page
    210
  • To page
    214
  • Keywords
    quantum dots. , Charge carrier processes , MOSdevices , Nanotechnology , memories
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Serial Year
    2004
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Record number

    398649

    • Link To Document
    https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398649