Title of article
A novel biasing scheme for I-MOS (impact-ionization MOS) devices
Author/Authors
Woo Young Choi، نويسنده , , Jae Young Song، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Park، نويسنده , , Y.J.، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages
4
From page
322
To page
325
Keywords
avalanche breakdown , impact-ionization metal–oxidesemiconductor (I-MOS) , novel biasing scheme , drain inducedcurrent enhancement (DICE) , subthresholdswing.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2005
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398735
Link To Document