Title of article
A Novel Spacer Process for Sub-10-nm-Thick Vertical MOS and Its Integration With Planar MOS Device
Author/Authors
Cho، نويسنده , , H.، نويسنده , , Kapur، نويسنده , , P.، نويسنده , , Kalavade، نويسنده , , P.، نويسنده , , Saraswat، نويسنده , , K.C.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
10
From page
554
To page
563
Keywords
Corner thinning , FINFETs , gate leakage current , MOS capacitors , vertical pillars.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398877
Link To Document