Title of article
Experimental Comparison Between Sub-0.1-$mu{hbox{m}}$ Ultrathin SOI Single- and Double-Gate MOSFETs: Performance and Mobility
Author/Authors
Widiez، نويسنده , , J.، نويسنده , , Poiroux، نويسنده , , T.، نويسنده , , Vinet، نويسنده , , M.، نويسنده , , Mouis، نويسنده , , M.، نويسنده , , Deleonibus، نويسنده , , S.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
6
From page
643
To page
648
Keywords
Coulomb scattering , lowfield mobility , MOSFETs , metal gate , double-gate (DG) , silicon-on-insulator (SOI)technology.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398885
Link To Document