Title of article
Effects of High-$kappa$ (HfO$_2$) Gate Dielectrics in Double-Gate and Cylindrical-Nanowire FETs Scaled to the Ultimate Technology Nodes
Author/Authors
Gnani، نويسنده , , E.، نويسنده , , Reggiani، نويسنده , , S.، نويسنده , , Rudan، نويسنده , , M.، نويسنده , , Baccarani، نويسنده , , G.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
7
From page
90
To page
96
Keywords
Gate insulator , HfO2 , high- materials , MOSFETs , scaling issues.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398915
Link To Document