Title of article
Analysis of the Voltage Swing for Logic and Memory Applications in Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy
Author/Authors
Sung-Yong Chung، نويسنده , , Niu Jin، نويسنده , , Pavlovicz، نويسنده , , R.E.، نويسنده , , Ronghua Yu، نويسنده , , Berger، نويسنده , , P.R.، نويسنده , , Thompson، نويسنده , , P.E، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
6
From page
158
To page
163
Keywords
semiconductor device doping , semiconductor epitaxiallayers , semiconductor junctions , tunnel diodecircuits. , Annealing , tunnel diode , logic circuit fault tolerance , circuit noise
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398924
Link To Document