Title of article
Impact of Structure Relaxation on the Ultimate Performance of a Small Diameter, n-Type $langle 110 rangle$ Si-Nanowire MOSFET
Author/Authors
Liang، نويسنده , , G.، نويسنده , , Kienle، نويسنده , , D.، نويسنده , , Patil، نويسنده , , Skr?ppa، Tore نويسنده , , Jing Wang، نويسنده , , Ghosh، نويسنده , , A.W.، نويسنده , , Khare، نويسنده , , S.V، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
5
From page
225
To page
229
Keywords
Bandstructure , Quantum confinement , Geometry optimization , tightbinding. , nanowire , field-effect transistor (FET)
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398934
Link To Document