Title of article
Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in $langle 100rangle$-Directed (110)-Oriented pMOSFETs
Author/Authors
Shimizu، نويسنده , , K.، نويسنده , , Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Januar، نويسنده , , D.، نويسنده , , Saraya، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
4
From page
358
To page
361
Keywords
Fully depleted SOI MOSFET , inversion layermobility.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398950
Link To Document