Title of article
The Impact of Random Dopant Aggregation in Source and Drain on the Performance of Ballistic DG Nano-MOSFETs: A NEGF Study
Author/Authors
Martinez، نويسنده , , A.، نويسنده , , Barker، نويسنده , , J.R.، نويسنده , , Svizhenko، نويسنده , , A.، نويسنده , , Anantram، نويسنده , , M.P.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
8
From page
438
To page
445
Keywords
Clustering of dopants , DG-MOSFET , nonequilibriumGreen functions.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398961
Link To Document