تحرك پذيري الكترونها در نيم رساناهايZnS و ZnSe درحضور ميدانهاي الكتريكي ضعيف با استفاده از حل عددي معادله بولتزمن به روش برگشت پذير

وابستگی تحرك پذیري الكترونها به دما و چگالی الكترونی در تركیبات نیم رساناي با حل مستقیم ZnSe و ZnS معادله بولتزمن محاسبه شده است. در این محاسبه، پراكندگی از فونونهاي آكوستیكی( پراكندگی از اثر پیزو الكتریك وپتانسیل تغییر شكل شبكه)، اپتیكی قطبی و پراكندگی از ناخالصیهاي یونیده، براي یك نوار رسانش غیرسهموي در نظر گرفته شده است. تحرك پذیري هر دو تركیب بسیار شبیه به هم است. محاسبات نشان می دهد كه تحرك پذیري الكترونها با 600 براي هر دو بلور كاهش می یابد كه علت آن افزایش پراكندگی ناشی از فونونهاي آكوستیكی K 200 تا K افزایش دما از است و در دماهاي پایین با افزایش چگالی اتمهاي ناخالصی تحرك پذیري الكترونها بطور قابل توجهی افزایش می یابد.