تنظيم دمايي نوار ممنوعه فركانسي در بلورهاي فوتوني دو بعدي متشكل از مواد نيمه هادي

Thermal tuning of photonic band gap in 2D photonic crystals composed of semiconductor materials

در این مقاله، تنظیم پذیری دمایی ساختار نواری بلورهای فوتونی دوبعدی ساخته شده از میله های نیمه هادی ذاتی، با تقارن شبكه مربعی و مثلثی، بطور نظری با استفاده از روش بسط موج تخت مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات نشان میدهد كه پهنا و موقعیت نوار ممنوعه فوتونی بدلیل تغییر ثابت دیالكتریك نیمه هادی ذاتی بطور قابل ملاحظهای با دما قابل كنترل است.

In this paper, we theoretically have investigated the thermal tuning of photonic band gap with temperature in 2D photonic crystals composed of intrinsic semiconductor with square and triangular lattice by means of the plane wave expansion method. Our numerical reasults shows that width and position of the photonic band gap significantly changes with temperature due to variations of dielectric constant of the intrinsic semiconductor.