محاسبه پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه ي سوم نقطه كوانتومي به شكل هرم ناقص InAs/GaAs با اندازه هاي مختلف

The calculation of third- order nonlinearity susceptibility in truncated pyramidal quantum dot with different sizes

در اين مقاله پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه ي سوم در نقطه ي كوانتومي هرم ناقص InAs/GaAs محاسبه مي شود. مدل ما براي بررسي خواص نوري و ساختار الكترونيكي بر پايه ي تقريب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه با افزايش حجم نقطه كوانتومي ، پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه ي سوم افزايش يافته و قله مربوطه به سمت انرژي هاي پايين تر جابجا مي شود.

In this article the third-order susceptibility in InAs/GaAs truncated pyramid quantum dot is calculated. We use from single band effective mass approximation and plane wave expansion method for studying optical property and electronic structure,respectivey. Our results present that the third-order susceptibility with increasing quantum dot volume,increases and the peak of third-order susceptibility is red shifted.