تاثیر كوچك سازی و تغییر گذردهی نسبی عایق گیت بر مدولاتوری نوری MOS بر مبنای SOI

پديدآورندگان

هما زارع بیدكی , مرتضی فتحی پور

كليدواژه

MOS optical modulator , carrier concentration , refractive index , gate oxide insulator , dielectric constant

كشور

ايران

نويسنده

مسلم علیدوستی شهركی

كلمات كليدي

MOS optical modulator; carrier concentration; refractive index; gate oxide insulator; dielectric constant

لينک به اين مدرک