محاسبه تحرك پذيري حامل ها ناشي از برهمكنش با فونون هاي آكوستيكي

Calculation of carrier mobility due to phonon interaction

مهمترين پارامتر انتقال در مواد نيمه هادي ضريب تحرك پذيري حامل ها (μ) است كه نشان دهنده ارتباط بين سرعت ميانگين حامل ها و ميدان الكتريكي خارجي E در حد ميدان هاي ضعيف است. هدف در اين مقاله بررسي پراكندگي الكترونها و محاسبه تحرك پذيري حامل ها براي مواد مختلف ناشي از برهمكنش فونونهاي آكوستيكي ، با استفاده از مدل نيمه كلاسيك در حالت پايا و بكاربردن تقريب زمان واهلش و معادله انتقال بولتزمن و با فرض اعمال ميدان خارجي ضعيف و وارد كردن قاعده طلايي فرمي است.

The most important transport parameter in a semiconductor material is the carrier mobility μ, which describes the linear relation between the average carrier velocity ν and an external electrical field E in the low applied field .It is the purpose of this article to calculate the carrier mobility due to phonon interaction for different materials and scattering rate for electron by using the semiclassical method in steady state ,relaxation time approximation and Boltzmann transport equation with suppose of external applied field and use of Fermi golden rule.