انرژي بستگي ناخالصي دهنده در چاه كوانتومي مثلثي GaAs −GaAlAs

Binding energy of donor impurity in triangular GaAs Ga Al As −x x − 1 quantum well

در تقريب جرم موثر و با استفاده از روش وردشي، انرژي بستگي ناخالصي دهنده در چاه كوانتومي مثلثي GaAs−Ga1−xAlxAs براي حالت پايه 1S و حالتهاي تحريكي Pz ,2Px, y , 2S و 3Pz بررسي شده است. متناظر با موقعيت ناخالصي در مركز و لبه چاه، براي دو مقدار متفاوت غلظت آلومينيم، انرژي بستگي به صورت تابعي از پهناي چاه محاسبه شده است

In effective mass approximation and by using the variational method, the binding energy of donor impurity in GaAs Ga Al As −x x − 1 triangular quantum well is investigated for ground state 1S and excited states x y z z 2S, 2P , 2P , 3P , . Correspond to donor position on-center and on-edge of the well, the donor binding energy is calculated as a function of the well with for two different Al concentration.