بررسي مشخصه منفي در يك ترانزيستور لايه نازك

Negative characteristic investigation on TFT

در اين نوشتار ميزان تاثير محل فلزگيت بر عملكرد يك ترانزيستور MOSFET لايه نازك بررسي شده است. شبيه سازي نشان مي دهد، هر چه مكان گيت را به درين نزديك نمائيم ميزان جريان، نسبت به حالتي كه گيت در وسط يا نزديك سورس باشد، كاهش خواهد يافت.و مقاومت خروجي ترانزيستور نيز در همين حالت، به ازاي شرايط خاصي، مقداري منفي خواهد بود كه با ميزان ولتاژ اعمالي به گيت اندازه آن تغيير مي نمايد. اندازه اين مقاومت منفي بازاي طولهاي متفاوتي از ترانزيستور و چگالي درين و سورس مختلف، مورد بررسي قرار گرفته است.

A simulation study of the effect of gate-source and gate-drain distances on the performance of thin film MOSFETs are presented. Simulations show that when the gate-drain distance is smaller than the gate-source distance, the drain current is reduced, and for special cases the output characteristics of the transistor show differential negative resistance (DNR). The value of this DNR varies with the gate voltage and channel length. The DNR in the output characteristics of transistors are investigated for different channel length, different source and drain doping.PACS No :85