حل عددي دسته معادلات غيرخطي نيمه هادي ها به روش نيوتن به منظور شبيه سازي مشخصه جريان- ولتاژ آشكارساز نوري BGMSM

The Numerical solution of The fundamental equations of semiconductors using Newton 's method in order to obtain The I-V characteristics of BGMSM photodetector

در اين مقاله مشخصه جريان- ولتاژ آشكار ساز نوري فلز-نيمه هادي-فلز پس دريچه دارشده ،BGMSM، در حالت استاتيك شبيه سازي مي شود. براي اين منظور، معادلات اساسي نيمه هادي ها شامل معادله پوآسون و معادلات پيوستگي براي الكترون ها و حفره ها با استفاده از مقياس گذاري و روش تفاضل محدود به يك دستگاه معادلات جبري غيرخطي جفت شده بر حسب متغيرهاي n , p ، ψ تبديل شده و با استفاده از روش تكرار نيوتن حل مي گردد. در اين مقاله شيوه حل سه معادله ديفرانسيل جفت شده و نحوه بدست آوردن مشخصه I-V مورد بحث قرار مي گيرد.

In this paper, the I-V characteristics of the Back-Gated Metal- Semiconductor- Metal Photodetector ,BGMSM, is simulated. To do this, the fundamental equations of semiconductors consisting of poisson's equation and two continuity equations for electron and holes have been scaled and discretized using finite difference method and solved for n, p and ψ variable by using Newton iteration method. Also, in this paper the solution method for the three nonlinear differential equations has been discussed in order to obtain the I-V characteristics of the device.