بررسي تاثير پارامترهاي ساختاري بر مشخصه هاي الكتريكي افزاره هاي نانو متري DG-SOI MOSFETs در ناحيه زير آستانه

The Impact of Structural Parameters on The Electrical Characteristics of Nanoscale DG SOI MOSFETs in Subthreshold Region

در اين مقاله به بررسي اثرات تغيير پارامترهاي ساختاري بر روي مشخصه هاي الكتريكي افزاره نانو متري ماسفت دو گيتي سيليكان بر روي عايق DG-SOI MOSFETs در ناحيه زير آستانه پرداخته شده است . شبيه سازي هاي انجام شده نشان مي دهند كه كاهش ضخامت بدنه منجر به كاهش ارتفاع سد پتانسيل و افزايش خازن موثر گيت (CG,eff) مي شود، در صورتي كه جريان حالت روشن افزاره (ION) كاهش مي يابد . با كاهش طول نواحي سورس و درين (LD/LS) ، خازن هاي لبه اي(CFringe) كوچك مي گردند و در نتيجه CG,eff كاهش مي يابد، اين در حالي است كه مشخصه جريان - ولتاژ و نيز ارتفاع سد پتانسيل تغيير چنداني نمي كنند.

In this paper, we investigate the impact of structural parameters on the electrical characteristics of nanoscale Double Gate Silicon on Insulator MOSFETs (DG-SOI MOSFETs) in subthreshold regime for low power applications. It will be shown that a reduction in the body thickness results in an increase in effective gate capacitance (CG,eff) and a decrease in barrier height as well as ION. A decrease in source/drain length (LS/LD) does not have a prefound effect on characteristics of this device while it drastically reduces CG,eff as well as the fringing fields