تأثير پارامترهاي فيزيكي بر روي مشخصه جريان - ولتاژ شبيه سازي شده يك ماسفت زير ميكرون

Effect of Physical Parameters on Simulated Current-Voltage Characteristics of a Submicron MOSFET

هدف از اين كار بررسي اثر تغييرات پارامترهاي فيزيكي مانند آلايش بستر ، تحرك پذيري ميدان پايين و ضخامت لايه اكسيد بر روي مشخصه هاي جريان - ولتاژيك ماسفت زيرميكرون است كه با استفاده از يك مدل جديد شبيه سازي شده است . اين مدل دو ناحيه خطي و اشباع را دربر مي گيرد و روش لايه نشاني تعديلي آستانه براي اطمينان از دستيابي به ولتاژ آستانه مثبت در نظر گرفته شده است.

The purpose of this work is study of effect of physical parameter's variations like substrate doping , low field mobility , oxide layer thickness on current-voltage characteristics of MOSFET that is simulated in a new model .The model includes the linear and saturation regions and threshold adjustment implant's manner is considered to ensure positive threshold voltage