تاثير ميدان الكتريكي خارجي بر انرژي بستگي ناخالصي در سيم كوانتومي

Effect of an external electric field on impurity binding energy in quantum wire

انرژي بستگي ناخالصي در سيم كوانتومي مستطيلي تحت تاثير ميدان الكتريكي بررسي شده است . در اين محاسبات ارتفاع سد پتانسيل محدود و از روش المان هاي محدود و تقريب جرم موثر استفاده گرديده است . انرژي بستگي ناخالصي بر حسب ابعاد سيم كوانتومي، ميدان الكتريكي و موقعيت ناخالصي محاسبه و ترسيم گرديده اند . همچنين نشان داده شده است كه با اعمال ميدان الكتريكي تبهگني ترازهاي انرژي برطرف مي گردد . نتايج بدست آمده در توافق خوبي با روش هاي قبلي مي باشد .

Impurity binding energy in rectangular quantum wire under the action of an external electric field is considered. Using, a finite- element method, within the effective-mass approximation and assuming a finite confinement potential , the binding energy of shallow impurity is calculated. We show , that impurity binding energy depends not only on quantum confinement, but also on the applied electric field and on the distribution of impurity inside the quantum wire