خواص الكتروني Si1-xGexO2 با ساختار i-فاز

Electronic properties of Si1-xGexO2 whit i-phase structure

در اين كار خواص الكتروني Si1-xGexO2 با ساختار –i فاز (x=0/35, 0/5, 0/75, 1) با روشهاي بر مبناي نظريه تابعي چگالي مورد بررسي قرار گرفته است . تأثير تغيير جايگاه اتم هاي سلسيوم و ژرمانيوم بر ساختار نواري نيز بررسي شده است . محاسبات نشان مي دهد كه اين ساختارها پايدار هستند و گاف انرژي آنها بين2/394 تا eV 4/584 است كه بستگي به جايگاه اتمها و فشار روي سيستم دارد.

In this work the electronic properties of Si1-xGexO2 (x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) with i-phase structure were investigated using DFT based methods. The effect of Si and Ge site change on band structures is also considered. The results show that these structures are stable and their band gap is between 2.394 and 4.584 eV which depend to atom site and the pressure on system