انرژي بستگي و حالت هاي اكسيتوني در چاه هاي كوانتومي دوگانه متقارن و نامتقارن در حضور ميدان مغناطيسي

در اين كار انرژي بستگي اكسيتون، سطوح انرژي اكسيتوني و طيف جذب نوري را در چاه كوانتومي دوگانه متقارن و نامتقارن GaAs/Ga1-xAlxAs درحضور ميدان مغناطيسي يكنواخت در جهت رشد لايه ها به صورت تئوري و در تقريب جرم موثر موردمطالعه قرار داديم. ابتدا با استفاده از روش وردشتي تاثير افزايش ميدان مغناطيسي و همچنين تغيير ساختار را روي انرژي بستگي اكسيتون درسطوح پايه و برانگيخته بررسي كرديم و نشان داديم كه جفت شدگي دو چاه بر سطوح انرژي اكسيتون اثر مي گذارد . از يك تابع غير وردشتي نيز استفاده كرديم و چگونگي تركيب توابع پايه را بر اساس پتانسيل كولني نشان داديم. در انتها نيز طيف جذب نوري را محاسبه كرديم.