خواص الكتريكي تركيب هاي نيمه هادي

The electrical properties of Semiconductor Compounds

اندازه گيري هاي ترابردي به روي آلياژهاي نيمه هادي CeNiSn براي درك بهتر خواص پيچيده اين نيمه هادي ها در دماي پايين انجام شده است. اندازه گيري هاي مقاومت الكتريكي نشان مي دهد كه با جايگزين كردن Ru و Pd به جاي Ni افزايش مقاومت الكتريكي در دماي پايين كاهش مي يابد. افزون بر اين مقاومت الكتريكي آلياژ CeNic . alno . Sn شروع حالت پايه شبكه -كاندو همدوس را در دماي كمتر از K 18 و رفتار وابسته به T را در پايين تر از 7Kشان مي دهد.

Transport measurements onCeNiSn semiconductor alloys has been carrird out to in order to understand the complex low-yemperature transport properties of the Kondo semiconductor CeNiSn. The resistivity measurements show that the observed low-temperature rise in the resistivity of CeNiSn becomes less pronounced with Ru and Pd substitution. Further, the resistivity of CeNi0.85Rh0.15Sn alloy shows the onset of the coherent Kondo-Lattice ground state below 18 K and exhibits a T2behaviour below 7 K