تأثير همزمان دما و ميدان ليزر بر انرژي بستگي ناخالصي در سيم كوانتومي GaAs /Ga1-ηAlηAs

Simultaneous effects of temperature and laser field on impurity binding energy in GaAs/Ga1-ηAlηAs quantum wire

انرژي بستگي ناخالصي در سيم كوانتومي مستطيلي در حضور ميدان الكتريكي خارجي، دما و همچنين اعمال ميدان ليزر در تقريب جرم مؤثر و با استفاده از روش وردشي محاسبه شده است. نتايج بيانگر وابستگي انرژي بستگي به جهت ميدان الكتريكي خارجي و پتانسيل پوششي مي باشد. انرژي بستگي با افزايش دما، كاهش مي يابد.

Impurity binding energy in rectangular quantum wire in the presence of external electric field, temperature and laser field in the effective mass approximation is calculated by variational method. The results show that‚ the binding energy depends on the direction of the external electric field and dressed potential, and decreases with temperature