بررسي خواص الكترونيكي تركيب آلي فتالوسيانين (C32H18N8) با استفاده از اصول اوليه

The study of electronical properties of Phthalocyanine (C32H18N8) using first principle

در اين مقاله برخي خواص الكتروني از جمله ساختار نواري، چگالي حالت ها، چگالي ابر الكتروني و گاف انرژي تركيب(C32H18N8) بر اساس اصول اوليه، 2/45eV محاسبه شده كه با مقدار تجربي 2/6eV هم خواني دارد. محاسبات به روش امواج تخت تقويت شده خطي (FP-LAPW) در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) با تقريب شيب تعميم يافته انجام شده است(GGA).

In this paper some electronical properties such as Band structure, Density of state, Density of electron and Energy gap of Phthalocyanine (C32H18N8 ) have been calculated. The calculations were performed in the frame of density functional theory(DFT),using the full potential linearized augmented plane wave(FP-LAPW) method with the generalized gradient approximation GGA