اثرات ناشي از اعمال ميدان الكتريكي خارجي در تركيب گاليم آرسنايد

Effects Induced by Applying External Electric Field in GaAs Compound

تغييرات ساختار الكتروني تركيب گاليم آرسنايد در حضور يك ميدان الكتريكي خارجي بر مبناي نظريه تابعي چگالي و روش امواج تخت بهبود يافته به اضافه ي اوربيتال هاي موضعي بررسي شده اند. نتايج نشان مي دهند كه گاف نواري اين تركيب بعد از اعمال ميدان الكتريكي خارجي كاهش پيدا مي كند، ولي انرژي كل و نيروي وارد بر اتم ها افزايش مي يابند. تغييرات طول و زواياي پيوندها نسبت به تغييرات چگالي الكتروني در ناحيه پيوندي در اثر واهلش اتم ها بيشتر است. نتايج گراديان ميدان الكتريكي نشان مي دهند كه اين كميت پس از اعمال ميدان الكتريكي خارجي به مقدار قابل ملاحظه اي افزايش مي يابد.

Variations of the electronic structure of GaAs in the presence of an external electric field are investigated based on the density functional theory using the full potential augmented plane waves plus local orbitals method. The results show that the band gap decreases, but total energy and exerted forces on the atoms increase by applying an external electric field in this compound. The bond lengths and bond angles are more influenced than the electron charge density by the atomic relaxation. The results of electric field gradients (EFGs) show that the EFG significantly increases by the external electric filed