محاسبه زمان هاي واهلش ترابردي و كوانتمي گاز الكتروني دوبعدي در ساختار AlGaAs/GaAs/AlGaAs

Calculation of transport and quantum relaxation times of two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs/AlGaAs structure

زمان هاي واهلش ترابردي و كوانتمي گاز الكتروني دو بعدي در ساختار دور آلاييده n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs محاسبه و مقايسه شده اند. نتايج حاكي است كه زمان واهلش ترابردي كل در چگالي هاي كم و زياد گاز الكتروني بترتيب محدود به پراكندگي از ناخالصي هاي زمينه و افزودني مي باشد. مضا فا ابنكه زمان هاي واهلش ترابردي بمراتب بزرگتراز كوانتمي و نسبت آنها براي پراكندگي از ناخالصي هاي دور از مرتبه 10 به توان 2 در حالي كه براي پراكندگي زمينه از مرتبه 10 به توان صفر مي باشد.

Transport and quantum relaxation times of two dimensional electron gas in remote doped n- AlGaAs/GaAs/AlGaAs structure have been calculated and compared. Results imply that; the total transport relaxation time at low and high electron densities is limited by scattering from background and remote impurities respectively. Moreover, the transport relaxation times are much higher than quantum ones and the order of magnitude of their ratio for remote impurity scattering is 10 2 while for the background type is 10 0