نافعالسازي پيوندهاي آزاد در سطح (001) Si بااستفاده از روش هاي شيميايي مرطوب در سطح ساختار دور آلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si

Passivation of dangling bonds at Si(100) surface of inverted remote doped structure by wet chemical methods

در اين مقاله، دو روش شيميايي مرطوب( با استفاده از 1- نيتريك اسيد و 2 - محلولي شامل سولفور) براي نافعالسازي پيوندهاي آزاد در سطح (001) Si در لايه پوششي ساختار دور آلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si ارائه شده و هر يك از اين دو روش روي چند ساختار بكارگرفته شد. سپس مقاومت ويژه الكتريكي در دماي T=6 k قبل و بعد از عمل نافعالسازي اندازهگيري و تحليل شد. سرانجام با مقايسه نتايج دو روش شيميايي، پارامترهاي تأثيرگذار، بررسي شدند.

In this paper, two wet chemical methods (by Nitric Acid and S containing solution), were suggested for passivation the dangling bonds of Si(100) surface at cap layer of p-Si/SiGe/Si .inverted remote doped structure. Each of these methods, was applied on some structures. Then electrical resistivity at T=6K, measured before and after passivation and analyzed. Finally, with comparison the results of two wet chemical methods, studied the effective parameters