شماره ركورد كنفرانس
3333
عنوان مقاله
بررسي پارامترهاي آسيب پرتويي در مواد سازندة قطعات الكترونيك تحت تابش چشمة نوترون راكتور تحقيقاتي تهران
عنوان به زبان ديگر
Study of Radiation Damage on Electronic Devices Subjected to Radiation Source of Tehran Research Reactor
پديدآورندگان
دانشور حميده دانشگاه شهيد بهشتي - دانشكده مهندسي هسته اي - گروه كاربرد پرتوها , فقهي اميرحسين دانشگاه شهيد بهشتي - دانشكده مهندسي هسته اي - گروه كاربرد پرتوها , جعفري حميد دانشگاه شهيد بهشتي - دانشكده مهندسي هسته اي - گروه كاربرد پرتوها , حسيني امير دانشگاه شهيد بهشتي - دانشكده مهندسي هسته اي - گروه كاربرد پرتوها
كليدواژه
آسيب پرتويي , مواد سازندة قطعات الكترونيك , تابش , چشمه هاي نوتروني , راكتور تحقيقاتي تهران
سال انتشار
شهريور 1391
عنوان كنفرانس
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۹۱
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
بررسي پارامترهاي وابسته به آسيب پرتويي در مواد يكي از موارد بسيار مهم در طراحي و مقاوم سازي مواد در محيط هاي تابشي مي باشد. مهمترين پارامتر در تعيين آسيب مربوط به جابه جايي اتمي است كه به لحاظ تجربي با استفاده از چشمه هاي نوتروني مي توان در اين مورد تخمين به عمل آورد. با توجه به اهميت قطعات الكترونيك، در اين كار با استفاده از كد MCNPX به بررسي و محاسبة مهمترين پارامترهاي آسيب در مهمترين قطعات الكترونيك كه در برابر چشمه تابشي راكتور تحقيقاتي تهران شبيه سازي شد هاند، پرداخته مي شود. نتايج نشان مي دهد كه در انتخاب قطعه بايستي با در نظرگيري تمام شرايط مؤثر صورت گرفته و در اين انتخاب آسيب ها اولويت بندي شود.
چكيده لاتين
Discussion to the radiation damage is one of the most important subjects in design and hardening of the radiation systems. The most important damage parameter is displacement damage that is approximated by neutron sources. According to the impotence of the electronic devices, it is paid attention to survey and calculation of the most important parameters in the most important electronic devices that is irradiated to the Tehran Research Reactor. Results show that, the choice of electronic devices should be done by considering all of effective conditions and in this selection, the priority of damage parameters must be determined
كشور
ايران
تعداد صفحه 2
4
از صفحه
1
تا صفحه
4
لينک به اين مدرک