سلول حافظه SRAM سه ارزشي مبتني بر CNTFET با تكنيك Sleep

براي كاهش توان نشتي سلول حافظه SRAM سه ارزشي مبتني بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو لوله كربني پيشنهاد كرده ايم. مدار پيشنهادي را با سلول حافظه سه ارزشي متداول مقايسه كرده ايم. براي مقايسه تاخير، توان، حاصلضرب توان در تاخير مدار پيشنهادي و سلول حافظه سه ارزشي متداول، از نرم افزار شبيه ساز HSPICE بهره برده ايم. نتايج حاصل از شبيه سازي نشان مي دهد كه سلول پيشنهادي داراي تاخير و توان كمتر در عمليات خواندن و نوشتن است. نتايج شبيه سازي همچنين حاكي از آن است كه توان نشتي سلول پيشنهادي در وضعيت آماده بكار كمتر از سلول متداول است.