بررسي اثر پيچش بر فاز‌هاي توپولوژيك يك نانو سيم

در اين پژوهش اثر پيچش را بر فاز‌هاي توپولوژيك يك نانو سيم دو اتمي مورد بررسي قرار داده‌ايم. در اين سامانه برهمكنش اسپين-مدار حضور دارد و شدت‌ آن با پيچش دستخوش تغيير مي‌گردد. ما نشان داده‌ايم كه سامانه در غياب پيچش براي پيكربندي‌هاي متفاوتي از شدت هاپينگ و برهمكنش اسپين-مدار، داراي فاز‌هاي توپولوژيك متفاوتي است. در مجموع پنج ناحيه در فضاي فاز توپولوژيك- چهار (يك) ناحيه مربوط به برهمكنش قوي (ضعيف) اسپين-مدار- مربوط به فاز توپولوژيك بديهي (عايق معمولي) است. در ادامه، نشان داده‌ايم كه اعمال پيچش منجر به تغيير فاز توپولوژيك بديهي در برهم‌كنش قوي اسپين-مدار به فاز توپولوژيك غيربديهي مي‌شود و به تبع آن مد‌هاي انرژي-صفر مرزي با يك گذار فاز توپولوژيك، آشكار مي‌شوند.