طراحي اسيلاتور LC تزويج ضربدري كم توان در تكنولوژيFinFET

Design of low power LC Cross-Coupled Oscillator in FinFET technology

در اين مقاله يك اسيلاتور تزويج ضربدري توان پايين با منبع جريان دنباله طراحي شده است. براي كاهش توان، اين طراحي با تكنولوژي FinFET 7nm LSTP انجام شده است و همچنين از روش هاي كاهش Vdd ، كاهش فركانس خروجي اسيلاتور، بكارگيري Vth هاي مختلف و تكنولوژي SOI براي اين منظور استفاده و تاثير هر يك از اين عوامل بررسي شده است. از سويي براي كاهش نويز فاز اسيلاتور از روش فيلترينگ نويز منبع جريان دنباله استفاده شده است. توان تلفاتي در اين مقاله نسبت به نمونه هاي مشابه ديگر و كارهايي كه تابحال انجام شده است بيش از 90 درصد كاهش يافته است. شبيه سازي با HSPICE و در تكنولوژي FinFET 7nm LSTP با ولتاژ منبع تغذيه 0.7 volt انجام شده است؛ دامنه پيك تا پيك ولتاژ نوساني خروجي 0.82 ولت ، فركانس نوسان خروجي 3.9 GHz ، توان تلفاتي حدود 30nwatt و نويز فاز اسيلاتور -112.57 dBc/Hz در آفست 1 MHz مي‌باشد.

In this paper,a low power cross coupled oscillator with tail current source is designed.in order to reduce power,this design was done with FinFET 7nm LSTP technology and Vdd reduction,reducing the frequency of the oscillator output,applying diffrent Vth and SOI technology are also used and the impact of each of these factors has been examined.On the one hand,to reduce oscillator phase noise,tail current source noise filtering is used.The power dissipation in this paper dropped more than 90% compared to other similar examples and works that have been done so far.The simulation is performed using HSPICE in FinFET 7nm LSTP technology with 0.7 volt power supply.The output peak to peak voltage is 0.82 volt,The oscillation frequency of the output is 3.9 GHz,The power dissipation is about 30nWatt and phase noise is -112.57 dBc/Hz at 1MHz offset frequency.