جابجايي پرتويي تنظيم پذير در بازتاب از ساختارهاي لايه اي D-(EM)N و C-(EM)N

امواج الكترومغناطيسي با قطبش TE و TM در بلور فوتونيكي يك بعدي بررسي شده است كه اين بلور متشكل از لايه هاي تك منفي مي باشد كه توسط لايه اي از مواد معمولي يا چپگرد از محيط چگالتر جدا شده است (كه به ترتيب ساختارهاي C-(EM)N يا D-(EM)N مي ناميم). نشان داديم كه زمانيكه ضخامت نسبي لايه ها كوچكتر از يك است، در ساختار C-(EM)N فقط امواج سطحي TE منتشر مي شوند در حاليكه در ساختار D-(EM)N فقط امواج سطحي TM منتشر مي شوند. همچنين با تحريك امواج سطحي پيشرو (پسرو) با قطبش TE (TM) جابجايي پرتويي يا گوس-هانچن مثبت (منفي) قابل ملاحظه اي را يافتيم.