بررسي اثر تغيير ثابت ديالكتريك گيت بر عملكرد ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني تونلزني با حل عددي خودسازگار معادلات پواسون و شرودينگر

در اين مقاله به بررسي اثر تغيير ثابت ديالكتريك گيت بر رفتار ترانزيستور اثر ميداني تونلزني مبتني بر نانولوله كربني پرداخته شده است. براي مطالعه و شبيهسازي ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني تونلزني از حل عددي خودسازگار معادلههاي پواسون- شرودينگر و روش تابع گرين غيرتعادلي استفاده شده است. نتايج شبيهسازي نشان ميدهد با افزايش اثر ثابت ديالكتريك گيت جريان حالت خاموش كاهش قابل توجهي دارد و در نتيجه موجب افزايش نسبت جريان حالت روشن به جريان حالت خاموش ميگردد. علاوه بر اين نوسان زيرآستانه كه از مولفههاي مهم ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني تونلزني است با افزايش ثابت ديالكتريك كمتر ميشود. بررسيهاي انجام شده در طول گيت 20نانومتر نشان ميدهد ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني تونلزني با kبالاتر باعث اصلاح الگوي توزيع پتانسيل و ميدان در سمت درين ميگردد و اين امر شيب پتانسيل را كاهش ميدهد در نتيجه باعث پهنتر شدن سد، در ناحيه كانال- درين ميشود. علاوه بر اين گستردگي سد باعث كاهش احتمال تونلزني نوار به نوار، كاهش جريان نشتي و بهبود رفتار آمبايپلار در افزاره شده است.