شبيه¬سازي و تحليل ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني با مدل اشباع سرعت

در اين مقاله ترانزيستور اثر ميداني با كانال نانولوله كربن با لحاظ كردن اشباع حامل¬ها شبيه¬سازي شده است. تاثير پارامترهايي مانند طول نانولوله، قطر نانولوله وسرعت اشباع حامل¬ها بر مشخصات الكترونيكي ترانزيستور بررسي و تحليل شده است. براي CNT-FET با لحاظ كردن اشباع حامل¬ها، منحني جريان-ولتاژ مشخصه قبل و بعد از اشباع حامل رفتار متفاوتي از خود نشان مي¬دهد. همينطور رفتار تك قطبي و Ambipolar ترانزيستور استخراج و بررسي شده است. بر اساس نتايج شبيه¬سازي، با كاهش طول نانولوله¬، افزايش قطر نانولوله و افازيش سرعت اشباع حامل¬ها جريان درين افزايش مي¬يابد.