شماره ركورد كنفرانس
3974
عنوان مقاله
شبيه سازي ترانزيستورهاي اثر ميدان مبتني بر نانولوله هاي كربني
پديدآورندگان
رادسر طاهره t_radsar@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه آزاد اسلامي واحد گرمسار، گرمسار، ايران , خالصي حسن Khalesih@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه آزاد اسلامي واحد گرمسار، گرمسار، ايران
تعداد صفحه
7
كليدواژه
ترانزيستور اثر ميدان فلز اكسيد نيم رسانا , ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربني , مشخصات جريان – ولتاژ , نانولوله كربني.
سال انتشار
1396
عنوان كنفرانس
ششمين كنفرانس ملي ايده هاي نو در مهندسي برق
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در ادامه روند كوچك سازي ابعاد ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز – اكسيد – نيم رساناي سيليكوني و نزديك شده به محدوديت هاي تكنولوژي سيليكون، پيشنهادهاي جديدي جهت جايگزيني آن مطرح شده اند. ترانزيستورهاي اثر ميدان مبتني بر نانولوله هاي كربني از جمله كانديداي بلوك اصلي قطعات در آينده نانوالكترونيك هستند. در اين مقاله ابتدا ترانزيستورهاي اثر ميدان نانولوله كربني و انواع آن از لحاظ ساختار و عملكرد بررسي مي شود و شرح مقايسه اي از آن ها ارائه مي گردد. سپس اثر مشخصات نانولوله كربني به كار رفته در ساختار ترانزيستور بر مشخصات جريان – ولتاژ آن مورد مطالعه قرار مي گيرد و در انتها نتايج تحقيق ارائه مي گردد.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک