شماره ركورد كنفرانس
4124
عنوان مقاله
بررسي خواص ساختاري والكتروني نانولولهي گاليوم فسفيد (GaPNT) واثر ناخالصي فلز واسطه منگنز بر روي آن
عنوان به زبان ديگر
The investigated of Structural and Electronic Properties GaP Nanotube and the effect of Mn doped by The Basis of Density Functional Theory
پديدآورندگان
علي حسيني نسب رستم آبادي طيبه mohsenkavir@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه وليعصر(عج)، رفسنجان , بيضايي سيدمهدي mbeizaee@yahoo.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه وليعصر(عج)، رفسنجان , صابري سيد حسن hsaberi64@yahoo.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه وليعصر(عج)، رفسنجان
تعداد صفحه
4
كليدواژه
:GaPNT , Density Functional , PWscf , Nanotube. , 73.22.–f , 75.75.+a , 61.46.+w , 71.15.Mb
سال انتشار
1395
عنوان كنفرانس
كنفرانس فيزيك ايران 1395
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين پژوهش ما به بررسي خواص ساختاري و الكتروني نانولوله گاليوم فسفيد و اثر ناخالصي منگنز برروي آن پرداختيم. محاسبات نشان ميدهد كه نانولوله گاليوم فسفيد در حالت خالص نيمرسانايي غير مغناطيسي با گاف مستقيم 15 /2 الكترون ولت ميباشد كه با تجربه سازگار است. در حالي كه بعد از اضافه كردن ناخالصي به نيمفلز مغناطيسي تبديل شد كه كاربرد فراواني در صنعت اسپينترونيك دارد.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک