خواص الكترونيكي تركيب Ca5Al2Sb6 و اثر فشار بر اين خواص

Electronical properties of Ca5Al2Sb6 compound and the effect of pressure on these properties

خواص الكترونيكي تركيب Ca5Al2Sb6 با ساختار اورترومبيك در گروه فضايي Pbam مورد مطالعه قرار گرفت. محاسبات به روش امواج تخت تقويت شده خطي در چارچوب نظريه تابعي چگالي با تقريب شيب تعميم يافته انجام شده است. نتايج بدست آمده نشان مي‌دهد كه اين بلور گاف نواري به اندازه 0.24 eV در فشار صفر گيگا پاسكال دارد. با افزايش فشار گاف انرژي كاهش مي يابد. اين تركيب در اثر افزايش فشار از 17.5 GPa به بالا به يك رسانا تبديل مي شود.

We have studied electronical properties of Ca5Al2Sb6 compound with orthorhombic structure at Pbam space group. The calculations were performed in the frame of density functional theory, using the full potential linearized augmented plane wave method with the generalized gradient approximation. Obtained results show that band gap of this crystal is 0.24 eV at zero GPa pressure. With increasing of pressure the energy gap decreases. This compound with increasing of pressure in top of 17.5 GPa convert to a conductor.