شماره ركورد كنفرانس
4124
عنوان مقاله
محاسبه دقيق ساختار الكتروني مواد عايق و نيمرسانا شامل الكترونهاي همبسته قوي، بر مبناي نظريه تابعي چگالي
عنوان به زبان ديگر
Accurate calculation of electronic structure of strongly correlated insulators and semiconductors in DFT
پديدآورندگان
كريمي حسين hossein.karimi1@ph.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك، گروه شبيهسازي كوانتمي مواد؛ , هاشمي فر سيد جواد hashemifar@cc.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك، گروه شبيهسازي كوانتمي مواد؛ , اعلايي مجتبي m.alaei@cc.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان، دانشكده فيزيك، گروه شبيهسازي كوانتمي مواد؛ , يزدان مهر محسن mohsen.yazdan66@gmail.com ايران، شاهينشهر، دانشگاه صنعتي مالك اشتر، گروه فيزيك؛
تعداد صفحه
4
كليدواژه
نظريه تابعي چگالي , گاف نواري , 71
سال انتشار
1395
عنوان كنفرانس
كنفرانس فيزيك ايران 1395
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
محاسبه گاف نواري در نظريه تابعي چگالي، فرايندي چالشي و پردردسر است. در اين مقاله، با استفاده از تابعي هاي تبادلي-همبستگي هيبريدي جديد، خواص الكتروني و گاف نواري گروهي از مواد همبسته قوي شامل الكترونهاي d مورد بررسي و محاسبه قرار گرفته است. نتايج بدست آمده با نتايج تجربي موجود مقايسه شده است.
چكيده لاتين
Density functional calculation of electronic band gap is an elaborate task. In this article, we employ modern hybrid exchange-correlation functionals for calculation of electronic structure and band gap of a group of correlated systems containing d electrons. the obtained results are compared with the available experimental data.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک