بررسي مقدار خازن كوانتومي مبتني بر گرافن دولايه درحالت هاي تبهگن وناتبهگن

با استفاده از كاربرد گرافن در صنعت الكترونيك مي توان به ترانزيستورهاى سريعتر و كوچكتر با مصرف انرژى كمتر و پراكندگى حرارتى بيشتر نسبت به ابزارهاى پايه سيليكونى دست يافت. در اين مقاله ابتدا يك مدل تحليلي براي انرژي اولين باند در گرافن نانو ريبون دو لايه (BGN) ارايه مي شود . براي بيان چگالي حالات (DOS)در BGN، ديفرانسيل گيري نسبت به انرژي انجام مي شود . سپس DOS براي ما مدل مي شود تا براساس آن چگالي حاملهاي الكتريكي(n) بدست آيد. براساس DOS ارايه شده ،مقدار خازن كوانتومي (Cq) براي كانال الكتريكي در يك FETدر حالت تبهگن و غير تبهگن مي تواند حاصل شود . خازن كوانتومي به عنوان يك پارامتر پايه به فرم انتگرال هاي مشهور فرمي نوشته مي شود كه بر طبق اين مدل تحليلي ، مقدار خازن كوانتومي در يك FETبا انرژي فرمي نرماليزه شده كه تابعي از انرژي گرمايي است افزايش مي يابد.